JAN1N5809URS Prezos (USD) [4803unidades de stock]
- 1 pcs$9.06350
- 100 pcs$9.01841
- Número de peza:
- JAN1N5809URS
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG. Rectifiers Rectifier
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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JAN1N5809URS Atributos do produto
Número de peza :
JAN1N5809URS
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/477
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
875mV @ 4A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SQ-MELF, B
Paquete de dispositivos de provedores :
B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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- RB068LAM-40TR
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- 1N6483-E3/97