EPC2105ENGRT Prezos (USD) [19276unidades de stock]
- 1 pcs$2.36363
- 500 pcs$2.35187
- Número de peza:
- EPC2105ENGRT
- Fabricante:
- EPC
- Descrición detallada:
- GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores - SCRs - Módulos ...
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EPC2105ENGRT Atributos do produto
Número de peza :
EPC2105ENGRT
Fabricante :
EPC
Descrición :
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Serie :
eGaN®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
300pF @ 40V
Potencia: máx :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
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