IRF7902TRPBF Prezos (USD) [183995unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRF7902TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7902TRPBF electronic components. IRF7902TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7902TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7902TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF7902TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6.4A, 9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.25V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
580pF @ 15V
Potencia: máx :
1.4W, 2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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