Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6L09FUTE85LF

KEY Part #: K6524825

SSM6L09FUTE85LF Prezos (USD) [911513unidades de stock]

  • 1 pcs$0.04058

Número de peza:
SSM6L09FUTE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6L09FUTE85LF Atributos do produto

Número de peza : SSM6L09FUTE85LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Función FET : Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 20pF @ 5V
Potencia: máx : 300mW
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos de provedores : US6

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