Vishay Siliconix - SQ4005EY-T1_GE3

KEY Part #: K6403489

SQ4005EY-T1_GE3 Prezos (USD) [194422unidades de stock]

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Número de peza:
SQ4005EY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4005EY-T1_GE3 Atributos do produto

Número de peza : SQ4005EY-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 15A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm@ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 38nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3600pF @ 6V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 6W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SOIC
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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