Número de peza :
IPB60R190P6ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 600V TO263-3
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20.2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 630µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
37nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1750pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) :
151W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB