BSM180D12P3C007 Prezos (USD) [177unidades de stock]
- 1 pcs$261.38301
- Número de peza:
- BSM180D12P3C007
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- SIC POWER MODULE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
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BSM180D12P3C007 Atributos do produto
Número de peza :
BSM180D12P3C007
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
SIC POWER MODULE
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Silicon Carbide (SiC)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 50mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
900pF @ 10V
Potencia: máx :
880W
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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