Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1235pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)