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- Número de peza:
- IRF7701
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7701 electronic components. IRF7701 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7701, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7701 Atributos do produto
Número de peza :
IRF7701
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
100nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5050pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-TSSOP
Paquete / Estuche :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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