Nexperia USA Inc. - PNS40010ER,115

KEY Part #: K6458190

PNS40010ER,115 Prezos (USD) [869884unidades de stock]

  • 1 pcs$0.04252
  • 3,000 pcs$0.02274
  • 6,000 pcs$0.01977
  • 15,000 pcs$0.01681
  • 30,000 pcs$0.01582
  • 75,000 pcs$0.01483

Número de peza:
PNS40010ER,115
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W. Rectifiers PNS40010ER/SOD2/REEL 7" Q1/T1
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Nexperia USA Inc. PNS40010ER,115 electronic components. PNS40010ER,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PNS40010ER,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PNS40010ER,115 Atributos do produto

Número de peza : PNS40010ER,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrición : DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 1A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 1.8µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SOD-123W
Paquete de dispositivos de provedores : CFP3
Temperatura de funcionamento: unión : 175°C (Max)

Tamén pode estar interesado
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in