SE30AFB-M3/6B Prezos (USD) [866901unidades de stock]
- 1 pcs$0.04502
- 14,000 pcs$0.04480
- Número de peza:
- SE30AFB-M3/6B
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE30AFB-M3/6B electronic components. SE30AFB-M3/6B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE30AFB-M3/6B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE30AFB-M3/6B Atributos do produto
Número de peza :
SE30AFB-M3/6B
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
1.4A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.1V @ 3A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
1.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
19pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-221AC, SMA Flat Leads
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-221AC
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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