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- Número de peza:
- IXTM11N80
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- POWER MOSFET TO-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in IXYS IXTM11N80 electronic components. IXTM11N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM11N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTM11N80 Atributos do produto
Número de peza :
IXTM11N80
Fabricante :
IXYS
Descrición :
POWER MOSFET TO-3
Serie :
GigaMOS™
Estado da parte :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4500pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-204AA
Paquete / Estuche :
TO-204AA, TO-3
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