IFS75B12N3E4B31BOSA1 Prezos (USD) [739unidades de stock]
- 1 pcs$62.82221
- Número de peza:
- IFS75B12N3E4B31BOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOD IGBT LOW PWR ECONO.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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IFS75B12N3E4B31BOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IFS75B12N3E4B31BOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOD IGBT LOW PWR ECONO
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuración :
Full Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
150A
Potencia: máx :
385W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 75A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
4.3nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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