Microsemi Corporation - APTGT75DA120D1G

KEY Part #: K6534001

[646unidades de stock]


    Número de peza:
    APTGT75DA120D1G
    Fabricante:
    Microsemi Corporation
    Descrición detallada:
    IGBT 1200V 110A 357W D1.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - JFETs and Diodos - RF ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGT75DA120D1G Atributos do produto

    Número de peza : APTGT75DA120D1G
    Fabricante : Microsemi Corporation
    Descrición : IGBT 1200V 110A 357W D1
    Serie : -
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo IGBT : Trench Field Stop
    Configuración : Single
    Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
    Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 110A
    Potencia: máx : 357W
    Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A
    Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 4mA
    Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 5345nF @ 25V
    Entrada : Standard
    Termistor NTC : No
    Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Chassis Mount
    Paquete / Estuche : D1
    Paquete de dispositivos de provedores : D1