Infineon Technologies - BSM75GAL120DN2HOSA1

KEY Part #: K6534542

BSM75GAL120DN2HOSA1 Prezos (USD) [1189unidades de stock]

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Número de peza:
BSM75GAL120DN2HOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Single and Diodos - Zener - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM75GAL120DN2HOSA1 Atributos do produto

Número de peza : BSM75GAL120DN2HOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Serie : -
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Configuración : Single Switch
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 105A
Potencia: máx : 625W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 75A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 1.4mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 5.5nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module