BSM75GAL120DN2HOSA1 Prezos (USD) [1189unidades de stock]
- 1 pcs$36.38434
- Número de peza:
- BSM75GAL120DN2HOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Finalidade especial ...
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BSM75GAL120DN2HOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSM75GAL120DN2HOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Single Switch
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
105A
Potencia: máx :
625W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 75A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1.4mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
5.5nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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