Número de peza :
PHT11N06LT,135
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1400pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-223
Paquete / Estuche :
TO-261-4, TO-261AA