IXFH80N65X2-4 Prezos (USD) [9197unidades de stock]
- 1 pcs$4.48104
- Número de peza:
- IXFH80N65X2-4
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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IXFH80N65X2-4 Atributos do produto
Número de peza :
IXFH80N65X2-4
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
8300pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
890W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-4L
Paquete / Estuche :
TO-247-4
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