TSM80N1R2CP ROG Prezos (USD) [113955unidades de stock]
- 1 pcs$0.32458
- Número de peza:
- TSM80N1R2CP ROG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
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TSM80N1R2CP ROG Atributos do produto
Número de peza :
TSM80N1R2CP ROG
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
19.4nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
685pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252, (D-Pak)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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