STMicroelectronics - STS8C5H30L

KEY Part #: K6522925

STS8C5H30L Prezos (USD) [110559unidades de stock]

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Número de peza:
STS8C5H30L
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STS8C5H30L Atributos do produto

Número de peza : STS8C5H30L
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
Serie : STripFET™ III
Estado da parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Función FET : Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A, 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 10nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 857pF @ 25V
Potencia: máx : 2W
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO

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