Samsung Semiconductor - K4A8G085WC-BITD

KEY Part #: K7359604

[23945unidades de stock]


    Número de peza:
    K4A8G085WC-BITD
    Fabricante:
    Samsung Semiconductor
    Descrición detallada:
    8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: LPDDR4X, MODULE, SLC Nand, GDDR6, HBM Aquabolt, DDR4, LPDDR5 and LPDDR4 ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G085WC-BITD electronic components. K4A8G085WC-BITD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G085WC-BITD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G085WC-BITD Atributos do produto

    Número de peza : K4A8G085WC-BITD
    Fabricante : Samsung Semiconductor
    Descrición : 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    Serie : DDR4
    densidade : 8 Gb
    Org. : 1G x 8
    velocidade : 2666 Mbps
    Voltaxe : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    paquete : 78FBGA
    estado do produto : Mass Production

    Tamén pode estar interesado
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.