[15426unidades de stock]
- Número de peza:
- K4A4G085WF-BITD
- Fabricante:
- Samsung Semiconductor
- Descrición detallada:
- 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: HBM Flarebolt, LPDDR4X, GDDR6, MODULE, LPDDR3, DDR4, GDDR5 and DDR3 ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G085WF-BITD electronic components. K4A4G085WF-BITD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G085WF-BITD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4A4G085WF-BITD Atributos do produto
Número de peza :
K4A4G085WF-BITD
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descrición :
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample
Serie :
DDR4
densidade :
4 Gb
Org. :
512M x 8
velocidade :
2666 Mbps
Voltaxe :
1.2 V
Temp. :
-40 ~ 95 °C
paquete :
78FBGA
estado do produto :
Sample
Últimas novas
Tamén pode estar interesado
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.