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- Número de peza:
- TPC8111(TE12L,Q,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Finalidade especial and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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TPC8111(TE12L,Q,M) Atributos do produto
Número de peza :
TPC8111(TE12L,Q,M)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
107nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5710pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
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