Infineon Technologies - BSC500N20NS3GATMA1

KEY Part #: K6419484

BSC500N20NS3GATMA1 Prezos (USD) [114454unidades de stock]

  • 1 pcs$0.32316
  • 5,000 pcs$0.29653

Número de peza:
BSC500N20NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies BSC500N20NS3GATMA1 electronic components. BSC500N20NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC500N20NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC500N20NS3GATMA1 Atributos do produto

Número de peza : BSC500N20NS3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 24A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 60µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1580pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 96W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TDSON-8
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN

Tamén pode estar interesado