CSD19533Q5A Prezos (USD) [153564unidades de stock]
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- 2,500 pcs$0.23754
- Número de peza:
- CSD19533Q5A
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 100A 8SON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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CSD19533Q5A Atributos do produto
Número de peza :
CSD19533Q5A
Fabricante :
Texas Instruments
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Serie :
NexFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.4 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2670pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.2W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-VSONP (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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