RCD075N19TL Prezos (USD) [238574unidades de stock]
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- Número de peza:
- RCD075N19TL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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RCD075N19TL Atributos do produto
Número de peza :
RCD075N19TL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
190V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1100pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
CPT3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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