Toshiba Semiconductor and Storage - TK2P60D(TE16L1,NQ)

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Número de peza:
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK2P60D(TE16L1,NQ) Atributos do produto

Número de peza : TK2P60D(TE16L1,NQ)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Serie : π-MOSVII
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 280pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 60W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PW-MOLD
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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