Número de peza :
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
280pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PW-MOLD
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63