DMS2120LFWB-7 Prezos (USD) [522378unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMS2120LFWB-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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DMS2120LFWB-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMS2120LFWB-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
632pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-DFN3020B (3x2)
Paquete / Estuche :
8-VDFN Exposed Pad
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