Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N48FU,RF(D

KEY Part #: K6523373

[4187unidades de stock]


    Número de peza:
    SSM6N48FU,RF(D
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    MOSFET 2N-CH 30V 0.1A.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - JFETs ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU,RF(D electronic components. SSM6N48FU,RF(D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N48FU,RF(D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM6N48FU,RF(D Atributos do produto

    Número de peza : SSM6N48FU,RF(D
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
    Función FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 100mA (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 Ohm @ 10mA, 4V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : -
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 15.1pF @ 3V
    Potencia: máx : 300mW
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Paquete de dispositivos de provedores : US6