Vishay Siliconix - SI3460DDV-T1-GE3

KEY Part #: K6421454

SI3460DDV-T1-GE3 Prezos (USD) [575693unidades de stock]

  • 1 pcs$0.06425
  • 3,000 pcs$0.06069

Número de peza:
SI3460DDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI3460DDV-T1-GE3 electronic components. SI3460DDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3460DDV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3460DDV-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI3460DDV-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 7.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 18nC @ 8V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 666pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 6-TSOP
Paquete / Estuche : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Tamén pode estar interesado