[4166unidades de stock]
- Número de peza:
- MVDF2C03HDR2G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G electronic components. MVDF2C03HDR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MVDF2C03HDR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MVDF2C03HDR2G Atributos do produto
Número de peza :
MVDF2C03HDR2G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel Complementary
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.1A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
630pF @ 24V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC
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