SIS903DN-T1-GE3 Prezos (USD) [201147unidades de stock]
- 1 pcs$0.18388
- Número de peza:
- SIS903DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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SIS903DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIS903DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Serie :
TrenchFET® Gen III
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
42nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2565pF @ 10V
Potencia: máx :
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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