Vishay Siliconix - 2N7002E-T1-GE3

KEY Part #: K6416177

2N7002E-T1-GE3 Prezos (USD) [575693unidades de stock]

  • 1 pcs$0.06425
  • 3,000 pcs$0.06069

Número de peza:
2N7002E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix 2N7002E-T1-GE3 electronic components. 2N7002E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7002E-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : 2N7002E-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 240mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 0.6nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 21pF @ 5V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 350mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-236
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Tamén pode estar interesado
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.