Vishay Siliconix - SIR826DP-T1-GE3

KEY Part #: K6418404

SIR826DP-T1-GE3 Prezos (USD) [62109unidades de stock]

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Número de peza:
SIR826DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: SCRs and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR826DP-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIR826DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2900pF @ 40V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8

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