Número de peza :
TPC8031-H(TE12LQM)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.3 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2150pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)