Número de peza :
ISL9R860S3ST
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.4V @ 8A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 600V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB (D²PAK)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C