BSM180D12P2C101 Prezos (USD) [224unidades de stock]
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- 10 pcs$208.25769
- Número de peza:
- BSM180D12P2C101
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Tiristores: SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
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BSM180D12P2C101 Atributos do produto
Número de peza :
BSM180D12P2C101
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET :
Silicon Carbide (SiC)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35.2mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
23000pF @ 10V
Potencia: máx :
1130W
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
-
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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