HTMN5130SSD-13 Prezos (USD) [92797unidades de stock]
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- Número de peza:
- HTMN5130SSD-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - Unión programable ...
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HTMN5130SSD-13 Atributos do produto
Número de peza :
HTMN5130SSD-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
8.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
218.7pF @ 25V
Potencia: máx :
1.7W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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