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- Número de peza:
- IRFH4257DTRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH4257DTRPBF electronic components. IRFH4257DTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH4257DTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH4257DTRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFH4257DTRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 35µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1321pF @ 13V
Potencia: máx :
25W, 28W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
Dual PQFN (5x4)
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