1SS193,LF Prezos (USD) [2541342unidades de stock]
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- 30,000 pcs$0.01063
- 75,000 pcs$0.00997
- 150,000 pcs$0.00886
- Número de peza:
- 1SS193,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores: TRIAC ...
- Ventaxa competitiva:
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1SS193,LF Atributos do produto
Número de peza :
1SS193,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
80V
Actual - Media rectificada (Io) :
100mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.2V @ 100mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
500nA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F :
3pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores :
S-Mini
Temperatura de funcionamento: unión :
125°C (Max)
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- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
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- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
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- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
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- VSKE270-08
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- CLL3595 BK
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- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
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