DMG4N60SK3-13 Prezos (USD) [2763unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMG4N60SK3-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unión programable, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Finalidade especial ...
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DMG4N60SK3-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMG4N60SK3-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14.3nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
532pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
48W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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