IRF6613TRPBF Prezos (USD) [102506unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRF6613TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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IRF6613TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF6613TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
23A (Ta), 150A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.25V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
63nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5950pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET™ MT
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric MT
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