Infineon Technologies - BSS84PL6327HTSA1

KEY Part #: K6409339

[316unidades de stock]


    Número de peza:
    BSS84PL6327HTSA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS84PL6327HTSA1 Atributos do produto

    Número de peza : BSS84PL6327HTSA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
    Serie : SIPMOS®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 170mA (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 170mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 1.5nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 19pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 360mW (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23-3
    Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3