Vishay Semiconductor Diodes Division - GP10DE-E3/54

KEY Part #: K6458163

GP10DE-E3/54 Prezos (USD) [916157unidades de stock]

  • 1 pcs$0.04260
  • 11,000 pcs$0.04239

Número de peza:
GP10DE-E3/54
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP10DE-E3/54 electronic components. GP10DE-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP10DE-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP10DE-E3/54 Atributos do produto

Número de peza : GP10DE-E3/54
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Serie : SUPERECTIFIER®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 1A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 3µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : DO-204AL, DO-41, Axial
Paquete de dispositivos de provedores : DO-204AL (DO-41)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

Tamén pode estar interesado
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in