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- Número de peza:
- SSM6N42FE(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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SSM6N42FE(TE85L,F) Atributos do produto
Número de peza :
SSM6N42FE(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
90pF @ 10V
Potencia: máx :
150mW
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos de provedores :
ES6 (1.6x1.6)
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