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- Número de peza:
- GT60N321(Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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GT60N321(Q) Atributos do produto
Número de peza :
GT60N321(Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo IGBT :
-
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1000V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
60A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
120A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 60A
Potencia: máx :
170W
Enerxía de conmutación :
-
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
-
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
330ns/700ns
Condición da proba :
-
Tempo de recuperación inversa (trr) :
2.5µs
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-3PL
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P(LH)
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