Renesas Electronics America - RJH60D6DPM-00#T1

KEY Part #: K6423736

[9550unidades de stock]


    Número de peza:
    RJH60D6DPM-00#T1
    Fabricante:
    Renesas Electronics America
    Descrición detallada:
    IGBT 600V 80A 50W TO-3PFM.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF and Tiristores: SCRs ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJH60D6DPM-00#T1 Atributos do produto

    Número de peza : RJH60D6DPM-00#T1
    Fabricante : Renesas Electronics America
    Descrición : IGBT 600V 80A 50W TO-3PFM
    Serie : -
    Estado da parte : Active
    Tipo IGBT : Trench
    Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 600V
    Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 80A
    Actual - Coleccionista pulsado (Icm) : -
    Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 40A
    Potencia: máx : 50W
    Enerxía de conmutación : 850µJ (on), 600µJ (off)
    Tipo de entrada : Standard
    Carga de porta : 104nC
    Td (activado / apagado) a 25 ° C : 50ns/160ns
    Condición da proba : 300V, 40A, 5 Ohm, 15V
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 100ns
    Temperatura de operación : 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete / Estuche : TO-3PFM, SC-93-3
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-3PFM