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- Número de peza:
- GT10J312(Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- IGBT 600V 10A 60W TO220SM.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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GT10J312(Q) Atributos do produto
Número de peza :
GT10J312(Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo IGBT :
-
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
10A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
20A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Potencia: máx :
60W
Enerxía de conmutación :
-
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
-
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
400ns/400ns
Condición da proba :
300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
200ns
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220SM
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