Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-50WQ10FNTR-M3

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Número de peza:
VS-50WQ10FNTR-M3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-50WQ10FNTR-M3 Atributos do produto

Número de peza : VS-50WQ10FNTR-M3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 5.5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 770mV @ 5A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1mA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : 183pF @ 5V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 150°C

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