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- Número de peza:
- SSM5N16FUTE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 0.1A USV.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FUTE85LF electronic components. SSM5N16FUTE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM5N16FUTE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM5N16FUTE85LF Atributos do produto
Número de peza :
SSM5N16FUTE85LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Serie :
π-MOSVI
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
9.3pF @ 3V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
200mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
USV
Paquete / Estuche :
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
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