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- Número de peza:
- FDN338P_G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- INTEGRATED CIRCUIT.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDN338P_G electronic components. FDN338P_G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN338P_G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDN338P_G Atributos do produto
Número de peza :
FDN338P_G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
INTEGRATED CIRCUIT
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
451pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SuperSOT-3
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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